مختلف فریکوئنسی بینڈز کے لیے سوئچنگ پاور سپلائی کا EMI دبانا

سوئچنگ پاور سپلائی کے ڈیزائن میں، EMI یقینی طور پر ایک بہت اہم حصہ ہے۔ بہت سے ڈویلپرز امتحان میں کامیابی سے گزرنے کے لیے برقی مقناطیسی مداخلت کے مسئلے کے ساتھ جدوجہد کرتے ہیں۔ تاہم، سرکٹ میں EMI بہت پیچیدہ ہے، اور مداخلت کی فریکوئنسی ایک جیسی نہیں ہے۔ کچھ نچلی رکاوٹوں میں صرف چند معمولی ایڈجسٹمنٹ کی ضرورت ہوتی ہے، جب کہ کچھ بڑے مسائل میں کثیر جہتی نقطہ نظر کی ضرورت ہوتی ہے۔ اس مقالے میں، مختلف فریکوئنسی بینڈز کے لیے بجلی کی فراہمی کو سوئچ کرنے کا EMI دبانے کا طریقہ متعارف کرایا گیا ہے۔

1 MHZ

1MHZ کے اندر، بنیادی طور پر تفریق موڈ مداخلت کی وجہ سے۔ اس کا حل درج ذیل ہے۔

وولٹیج X کی صلاحیت کو بڑھاتا ہے۔

تفریق موڈ شامل کرنا؛

سمارٹ پاور سپلائی کو PI فلٹر کے ذریعے پروسیس کیا جا سکتا ہے (یہ سفارش کی جاتی ہے کہ ٹرانسفارمر کے قریب الیکٹرولائٹک کیپسیٹرز کو بڑے ہونے کے لیے منتخب کیا جا سکتا ہے)۔

1 MHZ ٪7b٪7b1٪7d٪7d MHZ

1mhz-5mhz، تفریق موڈ کامن موڈ مکس، ان پٹ کے آخر میں متوازی طور پر منسلک X capacitors کی ایک سیریز کا استعمال تفریق مداخلت کو فلٹر کرنے اور تجزیہ کرنے کے لیے کیا جاتا ہے کہ کس قسم کی مداخلت برداشت سے باہر ہے اور مسئلہ کو حل کرتی ہے:

X کی طاقت کی صلاحیت کو فرق موڈ کی مداخلت سے ایڈجسٹ کیا جا سکتا ہے، اور فرق موڈ کے انڈکٹرز کو فرق موڈ کے انڈکٹنس کو ایڈجسٹ کرنے کے لیے شامل کیا جا سکتا ہے۔

کامن موڈ انڈکٹنس کو عام موڈ مداخلت کے معیار سے تجاوز کرنے کے لیے شامل کیا جا سکتا ہے، اور روکنے کے لیے معقول انڈکٹنس کا انتخاب کیا جا سکتا ہے۔

یہ آلہ ریکٹیفائر ڈائیوڈ کی خصوصیات کو بھی تبدیل کر سکتا ہے، فاسٹ ڈائیوڈس کا ایک جوڑا جیسے کہ FR107 اور عام ریکٹیفائر ڈائیوڈس 1N4007 کا ایک جوڑا۔

5 MHZ سے زیادہ

مشترکہ رابطے کی مداخلت بنیادی طور پر 5M سے زیادہ ہے، اور مشترکہ رابطے کو دبانے کا طریقہ اپنایا جاتا ہے۔ کیس گراؤنڈ ہونے کے لیے، زمینی تار پر 2-3 موڑ کے ارد گرد مقناطیسی رنگ کی ایک سیریز 10MHZ سے اوپر کی مداخلت کو نمایاں طور پر کم کرے گی۔ لوہے کور چپکنے والی تانبے کے ورق کے ٹرانسفارمر کے قریب ہو سکتا ہے، تانبے کے ورق بند انگوٹی. بیک اینڈ آؤٹ پٹ ریکٹیفائر پر کارروائی کرنے کے لیے جاذب اور بنیادی بڑے سرکٹس کے شنٹ کیپیسیٹینس کا سائز۔

20-30 میگاہرٹز

سوئچ گراؤنڈ Y2 کی گنجائش کو ایڈجسٹ کرسکتا ہے یا Y2 کیپیسیٹینس کی پوزیشن کو تبدیل کرسکتا ہے۔

پہلی اور دوسری سائیڈ کے درمیان Y1 کیپیسیٹینس پوزیشن اور پیرامیٹر کی قدروں کو مارجن سے ایڈجسٹ کیا جاتا ہے۔

ٹرانسفارمر کے باہر تانبے کے ورق کی روٹی؛ ٹرانسفارمر کی سب سے اندرونی تہہ کو ڈھال دیا گیا ہے۔ ٹرانسفارمر کے ونڈنگ کے انتظام کو ایڈجسٹ کریں۔

کواڈریچر تبدیل PCBLAYOUT؛

مین آؤٹ پٹ لائن کے سامنے ایک ڈبل لائن کے ساتھ چھوٹا عام موڈ انڈکٹنس زخم؛

ایک RC فلٹر آؤٹ پٹ رییکٹیفائر ٹیوب کے دونوں سروں پر متوازی ہوتا ہے اور معقول پیرامیٹرز کو ایڈجسٹ کیا جاتا ہے۔

اس وقت، BEADCORE کو ٹرانسفارمر اور MOSFET کے درمیان شامل کیا جاتا ہے۔

ٹرانسفارمر کے ان پٹ وولٹیج پن پر ایک چھوٹا کپیسیٹر لگائیں۔

کرنٹ کو ایک بڑے MOS ریزسٹر سے چلایا جا سکتا ہے۔